이화여자대학교

김성호(金成鎬) 교수

지능형반도체공학전공 / 전자전기공학전공 / 스마트팩토리융합전공[대학원]

김성호 프로필 사진 
김성호 교수는 KAIST 전기및전자공학과에서 학사, 석사, 박사학위를 취득하였으며, 나노소자 동작의 물리적 해석 및 모델링에 관한 연구를 주로 수행하였다. 
현재에는 나노소자의 양자적 현상을 활용한 비디지털 방식의 컴퓨팅 회로에 대해 연구 중이다.
  • sunghok@ewha.ac.kr
  • 진선미관 234호
  • 02-3277-5709
  • 연구관심분야
    • nano-device physics, characterization and modeling, unconventional computing system
  • sdg04
  • sdg09
연구실적
  • Physics-based compact model for 2D TMD FETs with full-range validation from single device to circuit Nanoscale Horizons, 2026, v.11 no.1, 289-298
    SCIE Scopus dColl.
  • SRAM based Gaussian noise generation for post quantum cryptography SCIENTIFIC REPORTS, 2025, v.15 no.1, 43573
    SCIE Scopus dColl.
  • [학술지논문] 2D-materials for analog in-memory computing: a device-centric review of advantages and limitations Neuromorphic Computing and Engineering, 2026, v.6 no.1, 012003-012003
    Scopus
  • [학술지논문] CMOS compatible probabilistic computing hardware with cointegrated reconfigurable p-bits and synapse arrays NATURE COMMUNICATIONS, 2026, v.17 no.1, 5110-5110
    SCIE
  • [학술지논문] Landauer-consistent interpretation of carrier mobility in quasi-ballistic field-effect transistors: overcoming the limitations of the Y-function method NANOSCALE HORIZONS, 2026, v.11 no.6, 1726-1736
    SCIE
  • [학술지논문] Advanced polynomial Y-function method for precise mobility characterization in 2D FETs SCIENTIFIC REPORTS, 2025, v.15 no.1, 27901-27901
    SCIE
  • [학술지논문] Floating gate synaptic memory of Janus WSSe Multilayer for neuromorphic computing MATERIALS TODAY ADVANCES, 2025, v.27 no.0, 100608-100608
    SCIE
  • [학술지논문] Highly durable and energy-efficient probabilistic bits based on h-BN/SnS2 interface for integer factorization InfoMat, 2025, v.7 no.7, 70018-70018
    SCIE
  • [학술지논문] Hybrid electrical-optical doping for selective and sustainable conduction-type modulation in WSe2 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2025, v.1024 no.0, 180115-180115
    SCIE
  • [학술지논문] Impact of temperature fluctuations on SRAM- based physically unclonable functions INTERNATIONAL JOURNAL OF INFORMATION SECURITY, 2025, v.24 no.3, 113-113
    SCIE
  • [학술지논문] Mem-Transistor-Based Gaussian Error-Generating Hardware for Post-Quantum Cryptography Applications ADVANCED QUANTUM TECHNOLOGIES, 2025, v.8 no.3, 1-9
    SCIE
  • [학술지논문] SRAM based Gaussian noise generation for post quantum cryptography SCIENTIFIC REPORTS, 2025, v.15 no.0, 43573-43573
    SCIE
  • [학술지논문] From Oxides to 2D Materials: Advancing Memristor Technologies for Energy-Efficient Neuromorphic Computing ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2024, v.6 no.6, 3998-4015
    SCIE
  • [학술지논문] Revealing Bipolar Photoresponse in Multiheterostructured WTe2-GaTe/ReSe2-WTe2 P-N Diode by Hybrid 2D Contact Engineering ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2024, v.16 no.40, 54367-54376
    SCIE
  • [학술지논문] SnS2 memtransistor-based Lorenz chaotic system for true random number generation NANO ENERGY, 2024, v.127 no.1, 109764-109764
    SCIE
  • [학술지논문] A self-tuning PID controller based on analog-digital hybrid computing with a double-gate SnS2 memtransistor Nanoscale, 2023, v.15 no.33, 13675-13684
    Scopus
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강의

  • 2026-2학기

    • 반도체공학Ⅰ

      • 학수번호 35322분반 02
      • 2학년 (3학점, 3시간) 수 6~6 (공학),금 4~4 (161)
      • 영어강의
        • 영문계획안

    • 물리전자공학특론 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 G14686분반 01
      • 학년 (3학점, 3시간) 화 2~2 (공학),목 2~2 (158)

    • 물리전자공학특론 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 G18569분반 01
      • 학년 (3학점, 3시간) 화 2~2 (공학),목 2~2 (158)

  • 2026-1학기

    • 반도체물리전자

      • 학수번호 39475분반 01
      • 2학년 (3학점, 3시간) 수 6~6 (포),금 4~4 (153)
      • 영어강의
        • 영문계획안

    • 스마트센서반도체소자 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 G14685분반 01
      • 학년 (3학점, 3시간) 화 2~2 (공학),목 2~2 (154)

    • 스마트센서반도체소자 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 G18568분반 01
      • 학년 (3학점, 3시간) 화 2~2 (공학),목 2~2 (154)

  • 2025-2학기

    • 기초회로실험

      • 학수번호 35325분반 03
      • 2학년 (2학점, 3시간) 목 5~6 (공학A422)
      • 영어강의 정원 외 교환학생 수강 불가
        • 영문계획안

    • 기초회로실험

      • 학수번호 35325분반 04
      • 2학년 (2학점, 3시간) 월 2~3 (공학A422)
      • 영어강의 추가개설, 정원 외 교환학생 수강불가
        • 영문계획안

    • 물리전자공학특론 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 G14686분반 01
      • 학년 (3학점, 3시간) 화 2~2 (공학),수 5~5 (158)

    • 물리전자공학특론 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 G18569분반 01
      • 학년 (3학점, 3시간) 화 2~2 (공학),수 5~5 (158)

  • 2025-1학기

    • 전자회로실험

      • 학수번호 36095분반 01
      • 3학년 (2학점, 3시간) 월 6~7 (공학A422)
      • 영어강의 정원 외 교환학생 수강 불가
        • 영문계획안

    • 전자회로실험

      • 학수번호 36095분반 02
      • 3학년 (2학점, 3시간) 화 6~7 (공학A422)
      • 영어강의 정원 외 교환학생 수강 불가
        • 영문계획안

    • 전자회로실험

      • 학수번호 36095분반 03
      • 3학년 (2학점, 3시간) 목 6~7 (공학A422)
      • 영어강의 정원 외 교환학생 수강 불가
        • 영문계획안

    • 집적회로소자모델 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 G14704분반 01
      • 학년 (3학점, 3시간) 화 2~2 (공학),목 2~2 (158)

    • 집적회로소자모델 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 G18555분반 01
      • 학년 (3학점, 3시간) 화 2~2 (공학),목 2~2 (158)

  • 2024-2학기

    • 기초회로실험

      • 학수번호 35325분반 02
      • 2학년 (2학점, 3시간) 수 6~7 (공학A422)
      • 영어강의
        • 영문계획안

    • 기초회로실험

      • 학수번호 35325분반 03
      • 2학년 (2학점, 3시간) 목 5~6 (공학A422)
      • 영어강의
        • 영문계획안

    • 물리전자공학특론 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 G14686분반 01
      • 학년 (3학점, 3시간) 화 2~2 (공학),목 2~2 (158)

    • 물리전자공학특론 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 G18569분반 01
      • 학년 (3학점, 3시간) 화 2~2 (공학),목 2~2 (158)

  • 2024-1학기

    • 집적회로설계 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 30276분반 01
      • 4학년 (3학점, 3시간) 월 4~4 (공학),목 5~5 (159)

    • 임베디드시스템설계및실습

      • 학수번호 36517분반 01
      • 4학년 (3학점, 3시간) 화 5~6 (공학A125)
      • 언어변경,영어강의
        • 영문계획안
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학력

한국과학기술원공학박사(전기및전자공학과)

한국과학기술원공학석사(전기및전자공학과)

한국과학기술원공학사(전기및전자공학과)

경력

세종대2015-03-01 ~ 2024-02-29

Univ. of Michigan2013-06-01 ~ 2015-01-10

삼성종합기술원2012-02-01 ~ 2013-04-15