이화여자대학교

서동석 프로필 사진
서동석 교수는 이화여자대학교 물리학과 교수로 재직 중이며(2023–현재), 저차원 나노소재, 양자물리 현상, 차세대 반도체 기술을 기반으로 한 나노전자소자 연구를 수행하고 있습니다. 특히 AI 하드웨어 가속기 및 뉴로모픽 소자 구현을 위한 새로운 반도체 정보처리 소자 플랫폼 개발에 주력하고 있습니다.

서울대학교 물리학과에서 학사, 석사 및 박사 학위를 취득하고(1992–2002), 삼성전자 종합기술원 및 반도체연구소에서 상변화메모리(PcRAM), 저항변화메모리(ReRAM), ToF 이미지 센서 연구개발을 수행하였습니다(2003–2011). 또한 University of Texas at Dallas에서 탄소나노튜브 연구를 하였고(2002–2003, 2011–2013), 이후 성균관대학교 에너지과학과에 재직하며(2013–2022) 다수의 정부 및 기업체 과제를 통하여 CNT-초전도 시스템, 강유전체-2차원 물질 이종접합소자, 그래핀 양자홀 효과 응용연구를 진행하였습니다. 2023년 이화여자대학교 물리학과에 부임하였고, 현재 이화 펠로우(Ewha Fellow)로 선정되어 있습니다(2023–2025, 2026–2028).
  • energy.suh@ewha.ac.kr
  • 종합과학관 A동 A523호
  • 02-3277-3443
  • 면담 가능시간
    • Mon 3:20-4pm ; Tue 3:20-4pm ; Thu 3:20-4pm
  • 연구관심분야
    • 로직/메모리./뉴로모픽 반도체 소자, 양자 전하 수송 현상 ( 초전도 / 양자홀 ), 탄소나노튜브 나노 섬유 및 응용 기술, 그래핀 / 2차원-반도체 소자, 차세대 인공지능 하드웨어 가속기를 위한 소자 물리학
  • sdg09
연구실적
  • Self-Incandescent Heating-Driven Microstructural Consolidation of Biscrolled Cu/CNT Yarns for Reduced Frequency-Dependent AC Resistance SMALL METHODS, 2026, v.10 no.9
    SCIE Scopus dColl.
  • Ag Nanowire-Integrated MoS2/ZnO Heterojunctions for Highly Efficient Photogenerated Charge Transfer ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2025, v.11 no.6
    SCIE Scopus dColl.
  • High-Performance Negative Capacitance Field-Effect Transistors with Synthetic Monolayer MoS2 ACS NANO, 2025, v.19 no.18, 17503-17513
    SCIE Scopus dColl.
  • Ion-Induced Phase Changes in 2D MoTe2 Films for Neuromorphic Synaptic Device Applications ACS NANO, 2025, v.19 no.2, 2529-2539
    SCIE Scopus dColl.
  • Reduced graphene oxide composite fiber with hierarchical pores for all-solid-state fiber supercapacitors CARBON, 2025, v.234, 119998
    SCIE Scopus dColl.
  • Effect of Self-Incandescent Heating on Superconducting NbN Nanowire Yarn ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2024, v.34 no.52
    SCIE Scopus dColl.
  • Electrical Tracking of the Mott Insulating Kitaev Magnet using Graphene/α-RuCl3 Heterostructure Advanced Functional Materials, 2024, v.34 no.16, 2306964
    SCIE Scopus dColl.
  • Electrically Tunable Spin Exchange Splitting in Graphene Hybrid Heterostructure Advanced Functional Materials, 2024, v.34 no.11, 2311287
    SCIE Scopus dColl.
  • Highly stretchable conductor with elastomeric passivation sheath enabling applications in harsh conditions Materials Chemistry and Physics, 2024, v.315, 128967
    SCIE Scopus dColl.
  • Integrated Electrostimulation Cell Culture Systems Driven by Chemically Modified Twistron Mechanical Energy Harvesting Electrodes Advanced Functional Materials, 2024, v.34 no.33, 2315279
    SCIE Scopus dColl.
  • Synergistic actuation performance of artificial fern muscle with a double nanocarbon structure Materials Today Advances, 2024, v.21, 100459
    SCIE Scopus dColl.
  • Understanding Piezoionic Effects in Chemo–Mechanical Energy Harvesting by Carbon Nanotube Yarn Twists Advanced Energy Materials, 2024, v.14 no.10, 2303343
    SCIE Scopus dColl.
  • Large–Area Graphene Electrode for Ferroelectric Control of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3 Single Crystal Advanced Electronic Materials, 2023, v.9 no.12, 2300339
    SCIE Scopus dColl.
  • [학술지논문] Self-Incandescent Heating-Driven Microstructural Consolidation of Biscrolled Cu/CNT Yarns for Reduced Frequency-Dependent AC Resistance SMALL METHODS, 2026, v.1 no.1, 1-1
    SCIE
  • [학술지논문] High-Performance Negative Capacitance Field-Effect Transistors with Synthetic Monolayer MoS2 ACS NANO, 2025, v.19 no.18, 17503-17513
    SCIE
  • [학술지논문] Ion-Induced Phase Changes in 2D MoTe2 Films for Neuromorphic Synaptic Device Applications ACS NANO, 2025, v.19 no.2, 2529-2539
    SCIE
  • [학술지논문] Effect of Self-Incandescent Heating on Superconducting NbN Nanowire Yarn ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2024, v.34 no.52, 241107-241107
    SCIE
  • [학술지논문] Electrical Tracking of the Mott Insulating Kitaev Magnet using Graphene/α-RuCl3 Heterostructure ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2024, v.34 no.16, 230696-230696
    SCIE
  • [학술지논문] Electrically Tunable Spin Exchange Splitting in Graphene Hybrid Heterostructure ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2024, v.34 no.11, 2311287-2311287
    SCIE
  • [학술지논문] Highly stretchable conductor with elastomeric passivation sheath enabling applications in harsh conditions MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS, 2024, v.315 no.1, 128967-128967
    SCIE
  • [학술지논문] Large-Area Graphene Electrode for Ferroelectric Control of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Single Crystal ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2023, v.9 no.12, 230033-230033
    SCIE
강의
  • 2026-2학기

    • 일반물리학실험Ⅱ

      • 학수번호 20411분반 02
      • 1학년 (1학점, 1.5시간) 화 5~5 (종)
      • 영어강의 자연대, 공대, 인공지능대, 호크마, 재학생
    • 반도체및나노물리학 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 35992분반 01
      • 4학년 (3학점, 3시간) 화 2~2 (포452),금 3~3 (포452)
      • 언어변경 심화전공 필수
    • 저차원계물리학Ⅱ

      • 학수번호 G15566분반 01
      • 학년 (3학점, 3시간) 화 3~4 (종D109)
      • 영어강의
  • 2026-1학기

    • 일반물리학실험Ⅰ 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 20410분반 15
      • 1학년 (1학점, 1.5시간) 금 5~5 (종D)
      • 영어강의 공대, 인공지능대, 호크마, 재학생
    • 고체물리학 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 20507분반 01
      • 4학년 (3학점, 3시간) 화 2~2 (포366),금 3~3 (포366)
      • 심화전공 필수
    • 반도체물리및실습

      • 학수번호 20514분반 01
      • 3학년 (3학점, 4.5시간) 수 4~6 (종D)
      • 영어강의 속강 요청/ 심화전공 필수/ 팀티칭
    • 양자역학입문 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 39309분반 01
      • 2학년 (3학점, 3시간) 수 3~3 (포452),금 2~2 (포452)
      • 심화전공 필수
  • 2025-2학기

    • 실험물리학IV 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 20515분반 01
      • 3학년 (2학점, 3시간) 수 5~6 (종D)
      • 영어강의 #심화전공 필수, 팀티칭
    • 역학Ⅱ

      • 학수번호 20519분반 01
      • 2학년 (3학점, 3시간) 월 3~3 (종A),수 2~2 (102)
      • 전공필수,영어강의 전공필수
    • 반도체및나노물리학 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 35992분반 01
      • 4학년 (3학점, 3시간) 월 5~5 (포366),수 4~4 (포366)
  • 2025-1학기

  • 2024-2학기

  • 2024-1학기

  • 2023-2학기

    • 역학II 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 20519분반 01
      • 2학년 (3학점, 3시간) 월 4~4 (포366),목 5~5 (포366)
      • 전공필수
    • 일반물리학

      • 학수번호 30001분반 01
      • 1학년 (3학점, 3시간) 월 2~2 (종A),목 3~3 (101)
      • 영어강의 사이버보안1, 식공1(선택),화신공1(선택), 약학부1
  • 2023-1학기

학력

서울대학교이학박사(물리학과)

서울대학교이학석사(물리학과)

서울대학교이학사(물리학과)

경력

성균관대2013-03-01 ~ 2023-02-28

Univ. of Texas at Dallas2011-02-01 ~ 2013-01-31

삼성전자(종합기술원, 반도체연구소)2003-12-01 ~ 2011-01-31

교내수상이력

이화펠로우2026-03-01

이화펠로우2023-03-01