서동석 교수는 이화여자대학교 물리학과 교수로 재직 중이며(2023–현재), 저차원 나노소재, 양자물리 현상, 차세대 반도체 기술을 기반으로 한 나노전자소자 연구를 수행하고 있습니다. 특히 AI 하드웨어 가속기 및 뉴로모픽 소자 구현을 위한 새로운 반도체 정보처리 소자 플랫폼 개발에 주력하고 있습니다.
서울대학교 물리학과에서 학사, 석사 및 박사 학위를 취득하고(1992–2002), 삼성전자 종합기술원 및 반도체연구소에서 상변화메모리(PcRAM), 저항변화메모리(ReRAM), ToF 이미지 센서 연구개발을 수행하였습니다(2003–2011). 또한 University of Texas at Dallas에서 탄소나노튜브 연구를 하였고(2002–2003, 2011–2013), 이후 성균관대학교 에너지과학과에 재직하며(2013–2022) 다수의 정부 및 기업체 과제를 통하여 CNT-초전도 시스템, 강유전체-2차원 물질 이종접합소자, 그래핀 양자홀 효과 응용연구를 진행하였습니다. 2023년 이화여자대학교 물리학과에 부임하였고, 현재 이화 펠로우(Ewha Fellow)로 선정되어 있습니다(2023–2025, 2026–2028).
energy.suh@ewha.ac.kr
종합과학관 A동 A523호
02-3277-3443
면담 가능시간
Mon 3:20-4pm ; Tue 3:20-4pm ; Thu 3:20-4pm
연구관심분야
로직/메모리./뉴로모픽 반도체 소자, 양자 전하 수송 현상 ( 초전도 / 양자홀 ), 탄소나노튜브 나노 섬유 및 응용 기술, 그래핀 / 2차원-반도체 소자, 차세대 인공지능 하드웨어 가속기를 위한 소자 물리학
연구실적
Self-Incandescent Heating-Driven Microstructural Consolidation of Biscrolled Cu/CNT Yarns for Reduced Frequency-Dependent AC Resistance
SMALL METHODS, 2026, v.10 no.9
Ag Nanowire-Integrated MoS2/ZnO Heterojunctions for Highly Efficient Photogenerated Charge Transfer
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2025, v.11 no.6
High-Performance Negative Capacitance Field-Effect Transistors with Synthetic Monolayer MoS2
ACS NANO, 2025, v.19 no.18, 17503-17513
Ion-Induced Phase Changes in 2D MoTe2 Films for Neuromorphic Synaptic Device Applications
ACS NANO, 2025, v.19 no.2, 2529-2539
Reduced graphene oxide composite fiber with hierarchical pores for all-solid-state fiber supercapacitors
CARBON, 2025, v.234, 119998
Effect of Self-Incandescent Heating on Superconducting NbN Nanowire Yarn
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2024, v.34 no.52
Electrical Tracking of the Mott Insulating Kitaev Magnet using Graphene/α-RuCl3 Heterostructure
Advanced Functional Materials, 2024, v.34 no.16, 2306964
Electrically Tunable Spin Exchange Splitting in Graphene Hybrid Heterostructure
Advanced Functional Materials, 2024, v.34 no.11, 2311287
Highly stretchable conductor with elastomeric passivation sheath enabling applications in harsh conditions
Materials Chemistry and Physics, 2024, v.315, 128967
Integrated Electrostimulation Cell Culture Systems Driven by Chemically Modified Twistron Mechanical Energy Harvesting Electrodes
Advanced Functional Materials, 2024, v.34 no.33, 2315279
Synergistic actuation performance of artificial fern muscle with a double nanocarbon structure
Materials Today Advances, 2024, v.21, 100459
Understanding Piezoionic Effects in Chemo–Mechanical Energy Harvesting by Carbon Nanotube Yarn Twists
Advanced Energy Materials, 2024, v.14 no.10, 2303343
Large–Area Graphene Electrode for Ferroelectric Control of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3 Single Crystal
Advanced Electronic Materials, 2023, v.9 no.12, 2300339
[학술지논문] Self-Incandescent Heating-Driven Microstructural Consolidation of Biscrolled Cu/CNT Yarns for Reduced Frequency-Dependent AC Resistance
SMALL METHODS, 2026, v.1 no.1, 1-1
SCIE
[학술지논문] High-Performance Negative Capacitance Field-Effect Transistors with Synthetic Monolayer MoS2
ACS NANO, 2025, v.19 no.18, 17503-17513
SCIE
[학술지논문] Ion-Induced Phase Changes in 2D MoTe2 Films for Neuromorphic Synaptic Device Applications
ACS NANO, 2025, v.19 no.2, 2529-2539
SCIE
[학술지논문] Effect of Self-Incandescent Heating on Superconducting NbN Nanowire Yarn
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2024, v.34 no.52, 241107-241107
SCIE
[학술지논문] Electrical Tracking of the Mott Insulating Kitaev Magnet using Graphene/α-RuCl3 Heterostructure
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2024, v.34 no.16, 230696-230696
SCIE
[학술지논문] Electrically Tunable Spin Exchange Splitting in Graphene Hybrid Heterostructure
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2024, v.34 no.11, 2311287-2311287
SCIE
[학술지논문] Highly stretchable conductor with elastomeric passivation sheath enabling applications in harsh conditions
MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS, 2024, v.315 no.1, 128967-128967
SCIE
[학술지논문] Large-Area Graphene Electrode for Ferroelectric Control of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Single Crystal
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2023, v.9 no.12, 230033-230033
SCIE
강의
2026-2학기
일반물리학실험Ⅱ
학수번호 20411 분반 02
1학년 (1학점, 1.5시간)
화 5~5 (종)
영어강의 자연대, 공대, 인공지능대, 호크마, 재학생
반도체및나노물리학
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학수번호 35992 분반 01
4학년 (3학점, 3시간)
화 2~2 (포452),금 3~3 (포452)
언어변경 심화전공 필수
저차원계물리학Ⅱ
학수번호 G15566 분반 01
학년 (3학점, 3시간)
화 3~4 (종D109)
영어강의
2026-1학기
일반물리학실험Ⅰ
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학수번호 20410 분반 15
1학년 (1학점, 1.5시간)
금 5~5 (종D)
영어강의 공대, 인공지능대, 호크마, 재학생
고체물리학
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학수번호 20507 분반 01
4학년 (3학점, 3시간)
화 2~2 (포366),금 3~3 (포366)
심화전공 필수
반도체물리및실습
학수번호 20514 분반 01
3학년 (3학점, 4.5시간)
수 4~6 (종D)
영어강의 속강 요청/ 심화전공 필수/ 팀티칭
양자역학입문
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학수번호 39309 분반 01
2학년 (3학점, 3시간)
수 3~3 (포452),금 2~2 (포452)
심화전공 필수
2025-2학기
실험물리학IV
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학수번호 20515 분반 01
3학년 (2학점, 3시간)
수 5~6 (종D)
영어강의 #심화전공 필수, 팀티칭
역학Ⅱ
학수번호 20519 분반 01
2학년 (3학점, 3시간)
월 3~3 (종A),수 2~2 (102)
전공필수,영어강의 전공필수
반도체및나노물리학
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학수번호 35992 분반 01
4학년 (3학점, 3시간)
월 5~5 (포366),수 4~4 (포366)
2025-1학기
고체물리학
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학수번호 20507 분반 01
4학년 (3학점, 3시간)
월 5~5 (포362),수 4~4 (포362)
역학Ⅰ
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학수번호 20518 분반 01
2학년 (3학점, 3시간)
월 3~3 (포366),수 2~2 (포366)
2024-2학기
역학Ⅱ
강의 계획서 상세보기
학수번호 20519 분반 01
2학년 (3학점, 3시간)
수 3~3 (포363),금 2~2 (포363)
전공필수
일반물리학Ⅱ
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학수번호 30002 분반 06
1학년 (3학점, 3시간)
수 6~6 (포453),금 4~4 (포453)
영어강의
2024-1학기
역학Ⅰ
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학수번호 20518 분반 01
2학년 (3학점, 3시간)
수 3~3 (포361),금 2~2 (포361)
고체물리학Ⅰ
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학수번호 G11972 분반 01
학년 (3학점, 3시간)
수 5~6 (종D)
영어강의
2023-2학기
역학II
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학수번호 20519 분반 01
2학년 (3학점, 3시간)
월 4~4 (포366),목 5~5 (포366)
전공필수
일반물리학
학수번호 30001 분반 01
1학년 (3학점, 3시간)
월 2~2 (종A),목 3~3 (101)
영어강의 사이버보안1, 식공1(선택),화신공1(선택), 약학부1
2023-1학기
역학I
강의 계획서 상세보기
학수번호 20518 분반 01
2학년 (3학점, 3시간)
월 2~2 (포361),목 3~3 (포361)
경력
성균관대 2013-03-01 ~ 2023-02-28
Univ. of Texas at Dallas 2011-02-01 ~ 2013-01-31
삼성전자(종합기술원, 반도체연구소) 2003-12-01 ~ 2011-01-31
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