이상욱(李相旭) 교수

물리학과

이상욱 프로필 사진
이상욱 교수는 이화여대 물리학전공 교수로 나노전자소자 및 나노전기역학소자 분야에서 연구활동을 하고 있다. 2005년 서울대학교 물리학부에서 박사학위를 받고 2007년까지 스웨덴 예테보리 대학 물리학과에서 박사후 연구원으로 재직한후 2008년 부터 2016년 8월까지 건국대학교 물리학과 조교수-부교수를 거쳐 2016년 9월부터 이화여자대학교 물리학과에서 교수로 재직중이다. 2010년 포스코 청암 과학 펠로우, 2012년 한국과학기술 한림원에서 선정한 한국의 선도과학자, 2106년 한국물리학회 응용물리학술상, 2017년 한국과학기술한림원 차세대회원 등을 수상하였다. Current Applied Physics Editor (2013-2016) 및 Executive Editor (2019-2020), 한국물리학회 총무부실무이사(2015-2016), 한국 NEMS 연구회 회장(2015-2017)등을 역임하였고 다수 국제학회 조직위에서 활동을 하고 있다.
연구실적
  • Improvement of dust removal performance through analysis on the mechanical behavior of fabric in the clothing care system Current Applied Physics, 2021, v.27, 117-124
    SCIE Scopus KCI dColl.
  • Mechanical resonance properties of porous graphene membrane; simulation study and proof of concept experiment Current Applied Physics, 2021, v.23, 30-35
    SCIE Scopus KCI dColl.
  • Modeling and Understanding the Compact Performance of h-BN Dual-Gated ReS2 Transistor Advanced Functional Materials, 2021, v.31 no.23, 2100625
    SCIE Scopus dColl.
  • Semiconductor-less vertical transistor with I ON/I OFF of 106 Nature Communications, 2021, v.12 no.1, 1000
    SCIE Scopus dColl.
  • Step-By-Step Atomic Insights into Structural Reordering from 2D to 3D MoS2 ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2021, v.31 no.13, 2008395
    SCIE Scopus dColl.
  • The Effect of Fabric Movement on Wrinkle Recovery in a Clothing Care System Journal of the Korean Society of Clothing and Textiles, 2021, v.45 no.2, 335-345
    Scopus KCI dColl.
  • Opposite Polarity Surface Photovoltage of MoS2 Monolayers on Au Nanodot versus Nanohole Arrays ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, v.12 no.43, 48991-48997
    SCIE Scopus dColl.
  • Polarization-dependent light emission and charge creation in MoS2 monolayers on plasmonic Au nanogratings ACS Applied Materials and Interfaces, 2020, v.12 no.39, 44088-44093
    SCIE Scopus dColl.
  • Real-time effect of electron beam on MoS2field-effect transistors Nanotechnology, 2020, v.31 no.45, 455202
    SCIE Scopus dColl.
  • Remote heteroepitaxy of GaN microrod heterostructures for deformable light-emitting diodes and wafer recycle SCIENCE ADVANCES, 2020, v.6 no.23, eaaz5180
    SCIE Scopus dColl.
  • Selective-Area Remote Epitaxy of ZnO Microrods Using Multilayer-Monolayer-Patterned Graphene for Transferable and Flexible Device Fabrications ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2020, v.3 no.9, 8920-8930
    SCIE Scopus dColl.
  • Structural configurations and Raman spectra of carbon nanoscrolls Nanotechnology, 2020, v.31 no.31, 315707
    SCIE Scopus dColl.
  • Transformation and Evaporation of Surface Adsorbents on a Graphene "hot Plate" ACS Applied Materials and Interfaces, 2020, v.12 no.23, 26313-26319
    SCIE Scopus dColl.
  • Light-Induced Surface Potential Modification in MoS2 Monolayers on Au Nanostripe Arrays Scientific Reports, 2019, v.9 no.1, 14434
    SCIE Scopus dColl.
  • Nanoelectromechanical graphene switches for the multi-valued logic systems NANOTECHNOLOGY, 2019, v.30 no.36, 364005
    SCIE Scopus dColl.
  • Single GaAs Nanowire/Graphene Hybrid Devices Fabricated by a Position-Controlled Microtransfer and an Imprinting Technique for an Embedded Structure ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, v.11 no.14, 13514-13522
    SCIE Scopus dColl.
  • Acral melanoma detection using a convolutional neural network for dermoscopy images PLOS ONE, 2018, v.13 no.3
    SCIE Scopus dColl.
  • Remote heteroepitaxy across graphene: Hydrothermal growth of vertical ZnO microrods on graphene-coated GaN substrate Applied Physics Letters, 2018, v.113 no.23, 233103
    SCIE Scopus dColl.
  • Remote homoepitaxy of ZnO microrods across graphene layers Nanoscale, 2018, v.10 no.48, 22970-22980
    SCIE Scopus dColl.
  • A reliable and controllable graphene doping method compatible with current CMOS technology and the demonstration of its device applications NANOTECHNOLOGY, 2017, v.28 no.17
    SCIE Scopus dColl.
  • Accurate and Precise Determination of Mechanical Properties of Silicon Nitride Beam Nanoelectromechanical Devices ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017, v.9 no.8, 7282-7287
    SCIE Scopus dColl.
  • Analysis of small biomolecules and xenobiotic metabolism using converted graphene-like monolayer plates and laser desorption/ionization time-of-flight mass spectrometry Talanta, 2017, v.168, 240-245
    SCIE Scopus dColl.
  • Band Alignment at Au/MoS2 Contacts: Thickness Dependence of Exfoliated Flakes Journal of Physical Chemistry C, 2017, v.121 no.40, 22517-22522
    SCIE Scopus dColl.
  • Chemical manipulation of edge-contact and encapsulated graphene by dissociated hydrogen adsorption RSC ADVANCES, 2017, v.7 no.10, 6013-6017
    SCIE Scopus dColl.
  • Chemical vapor deposition of graphene on platinum: Growth and substrate interaction CARBON, 2017, v.111, 733-740
    SCIE Scopus dColl.
  • Engineering performance of barristors by varying the thickness of WS2 Current Applied Physics, 2017, v.17 no.1, 11-14
    SCIE Scopus KCI dColl.
  • Engineering performance of barristors by varying the thickness ofWS2 Current Applied Physics, 2017, v.17 no.1, 11
    SCIE Scopus KCI dColl.
  • Nanoscale Structural Switching of Plasmonic Nanograin Layers on Hydrogel Colloidal Monolayers for Highly Sensitive and Dynamic SERS in Water with Areal Signal Reproducibility ANALYTICAL CHEMISTRY, 2017, v.89 no.21, 11259-11268
    SCIE Scopus dColl.
  • Revealing impact of plasma condition on graphite nanostructures and effective charge doping of graphene Carbon, 2017, v.123, 174-185
    SCIE Scopus dColl.
  • Patterning of Periodic Ripples in Monolayer MoS2 by Using Laser Irradiation Journal of the Korean Physical Society, 2016, v.69 no.10, 1505-1508
    SCIE Scopus KCI dColl.
  • Patterning of periodic ripples in monolayer MoS2 by using laser irradiation JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2016, v.69 no.10, 1505-1508
    SCIE Scopus KCI dColl.
  • [학술지논문] Improvement of dust removal performance through analysis on the mechanical behavior of fabric in the clothing care system CURRENT APPLIED PHYSICS, 2021, v.27 no.7 , 117-124
    SCI
  • [학술지논문] Mechanical resonance properties of porous graphene membrane; simulation study and proof of concept experiment CURRENT APPLIED PHYSICS, 2021, v.23 no.0 , 30-35
    SCI
  • [학술지논문] Modeling and Understanding the Compact Performance of h-BN Dual-Gated ReS2 Transistor ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2021, v.31 no.23 , 2100625-2100625
    SCI
  • [학술지논문] Semiconductor-less vertical transistor with I-ON/I-OFF of 10(6) NATURE COMMUNICATIONS, 2021, v.12 no.1 , 1000-1000
    SCI
  • [학술지논문] Step-By-Step Atomic Insights into Structural Reordering from 2D to 3D MoS2 ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2021, v.31 no.13 , 2008395-2008395
    SCI
  • [학술지논문] Opposite Polarity Surface Photovoltage of MoS2 Monolayers on Au Nanodot versus Nanohole Arrays ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, v.12 no.43 , 48991-48997
    SCI
  • [학술지논문] Polarization-Dependent Light Emission and Charge Creation in MoS2 Monolayers on Plasmonic Au Nanogratings ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, v.12 no.39 , 44088-44093
    SCI
  • [학술지논문] Real-time effect of electron beam on MoS(2)field-effect transistors NANOTECHNOLOGY, 2020, v.31 no.45 , 455202-455202
    SCI
  • [학술지논문] Remote heteroepitaxy of GaN microrod heterostructures for deformable light-emitting diodes and wafer recycle SCIENCE ADVANCES, 2020, v.6 no.23 , 5180-5180
    SCI
  • [학술지논문] Structural configurations and Raman spectra of carbon nanoscrolls NANOTECHNOLOGY, 2020, v.31 no.31 , 315707-315707
    SCI
  • [학술지논문] Transformation and Evaporation of Surface Adsorbents on a Graphene "Hot Plate" ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, v.12 no.23 , 26313-26319
    SCI
  • [학술지논문] Nanoelectromechanical graphene switches for the multi-valued logic systems NANOTECHNOLOGY, 2019, v.30 no.36 , 364005-364005
    SCI
  • [학술지논문] Single GaAs Nanowire/Graphene Hybrid Devices Fabricated by a Position-Controlled Microtransfer and an Imprinting Technique for an Embedded Structure ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, v.11 no.14 , 13514-13522
    SCI
  • [학술지논문] Remote heteroepitaxy across graphene: Hydrothermal growth of vertical ZnO microrods on graphene-coated GaN substrate APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, v.113 no.23 , 233103-233103
    SCI
  • [학술지논문] Remote homoepitaxy of ZnO microrods across graphene layers NANOSCALE, 2018, v.10 no.48 , 22970-22980
    SCI
  • [학술지논문] A reliable and controllable graphene doping method compatible with current CMOS technology and the demonstration of its device applications NANOTECHNOLOGY, 2017, v.28 no.17 , 175710-175710
    SCI
  • [학술지논문] Band Alignment at Au/MoS2 Contacts: Thickness Dependence of Exfoliated Flakes JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2017, v.121 no.40 , 22517-22522
    SCI
  • [학술지논문] Chemical vapor deposition of graphene on platinum: Growth and substrate interaction CARBON, 2017, v.111 no.1 , 733-740
    SCI
  • [학술지논문] Engineering performance of barristors by varying the thickness of WS2 CURRENT APPLIED PHYSICS, 2017, v.17 no.1 , 11-14
    SCI
  • [학술지논문] Nanoscale Structural Switching of Plasmonic Nanograin Layers on Hydrogel Colloidal Monolayers for Highly Sensitive and Dynamic SERS in Water with Areal Signal Reproducibility ANALYTICAL CHEMISTRY, 2017, v.89 no.21 , 11259-11268
    SCI
  • [학술지논문] Revealing impact of plasma condition on graphite nanostructures and effective charge doping of graphene CARBON, 2017, v.123 no.123 , 174-185
    SCI
강의
  • 2021-2학기

    • 실험물리학IV

      • 학수번호 20515분반 01
      • 3학년 ( 2학점 , 3시간) 수 2~3 (종A418)
      • 영어강의
    • 일반물리학II 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 30002분반 03
      • 1학년 ( 3학점 , 3시간) 월 6~6 , 수 5~5
      • 컴공1(선택),사이버1(선택),전자1,기후에너지1,호크마1
    • 반도체및나노물리학

      • 학수번호 35992분반 01
      • 4학년 ( 3학점 , 3시간) 화 6~6 , 목 4~4
      • 영어강의
  • 2021-1학기

    • 일반물리학I 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 20409분반 05
      • 1학년 ( 3학점 , 3시간) 월 5~5 , 수 4~4
    • 일반물리학실험I

      • 학수번호 20410분반 03
      • 1학년 ( 1학점 , 1.5시간) 월 3~3 (종D)
      • 영어강의 자연대1, 호크마대1, 공대생수강불가, 영어강의
    • 일반물리학실험I

      • 학수번호 20410분반 04
      • 1학년 ( 1학점 , 1.5시간) 화 3~3 (종D)
      • 영어강의 컴공1, 사이버1, 전자전기1, 호크마1, 타전공생 및 자연대생 수강불가
    • 일반물리학실험I

      • 학수번호 20410분반 05
      • 1학년 ( 1학점 , 1.5시간) 화 2~2 (종D)
      • 영어강의 컴공1, 사이버1, 전자전기1, 호크마1, 타전공생 및 자연대생 수강불가
  • 2020-2학기

  • 2020-1학기

    • 1학년세미나(자연대) 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 10851분반 06
      • 1학년 ( 1학점 화 8~8 (종A512)
      • 4차 산업혁명 시대에 필요한 물리학적 지식 시간 변경(화8)
    • 일반물리학I 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 20409분반 08
      • 1학년 ( 3학점 , 3시간) 월 4~4 (종A) , 목 5~5 (101)
      • ABEEK 건도시, 기후, 호크마1, 타전공생,자연대생 수강불가
    • 일반물리학실험I

      • 학수번호 20410분반 07
      • 1학년 ( 1학점 , 1.5시간) 월 5~5 (종D)
      • 영어강의 컴공1, 사이버1, 전자전기1, 호크마1, 타전공생 및 자연대생 수강불가
    • 일반물리학실험I

      • 학수번호 20410분반 08
      • 1학년 ( 1학점 , 1.5시간) 수 4~4 (종D)
      • 영어강의 컴공1, 사이버1, 전자전기1, 호크마1, 타전공생 및 자연대생 수강불가
    • 일반물리학실험I

      • 학수번호 20410분반 17
      • 1학년 ( 1학점 , 1.5시간) 수 6~6 (종D)
      • 영어강의 휴기바1, 호크마1, 타전공생 및 자연대생 수강불가
    • 최근물리학동향I 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 35983분반 01
      • 3학년 ( 1학점 , 1시간) 수 7~7 (종)
      • 콜로키엄으로 운영되는 강의(필수)
  • 2019-2학기

    • 일반물리학실험II

      • 학수번호 20411분반 02
      • 1학년 ( 1학점 , 1.5시간) 월 7~7 (종D)
      • 영어강의 자연대1,엘텍공대1,호크마대1
    • 일반물리학실험II

      • 학수번호 20411분반 06
      • 1학년 ( 1학점 , 1.5시간) 월 6~6 (종D)
      • 영어강의 전자전기공학1,호크마대1
    • 실험물리학II

      • 학수번호 20513분반 01
      • 2학년 ( 2학점 , 3시간) 화 6~7 (종A416)
      • 영어강의
    • 최근물리학동향II

      • 학수번호 35984분반 01
      • 3학년 ( 1학점 , 1시간) 수 7~7 (종)
    • 반도체및나노물리학 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 35992분반 01
      • 4학년 ( 3학점 , 3시간) 월 5~5 (포366) , 수 4~4 (포366)
  • 2019-1학기

    • 1학년세미나(자연대) 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 10851분반 06
      • 1학년 ( 1학점 화 7~7 (종A512)
      • 4차산업혁명 시대에 필요한 물리학적 지식
    • 일반물리학I 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 20409분반 02
      • 1학년 ( 3학점 , 3시간) 월 5~5 (포363) , 수 4~4 (포363)
      • 화학나노, 생명과학 및 비이공계열 단대생, 호크마1, 타전공생수강불가
    • 일반물리학I 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 20409분반 09
      • 1학년 ( 3학점 , 3시간) 월 3~3 (종A) , 수 2~2 (102)
      • ABEEK 기후에너지1, 건도시1, 호크마1, 타전공생 및 자연대생 수강불가
    • 일반물리학실험I

      • 학수번호 20410분반 02
      • 1학년 ( 1학점 , 1.5시간) 화 6~6 (종D)
      • 영어강의,ABEEK 자연대1, 호크마대1, 영어강의
    • 일반물리학실험I 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 20410분반 05
      • 1학년 ( 1학점 , 1.5시간) 월 2~2 (종D)
      • 영어강의,ABEEK 컴공1, 사이버1, 전자전기1, 호크마1, 타전공생 및 자연대생 수강불가
    • 실험물리학I

      • 학수번호 20512분반 01
      • 2학년 ( 2학점 , 3시간) 월 6~7 (종A416)
      • 영어강의 #심화전공 필수, 영어강의
    • 최근물리학동향I 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 35983분반 01
      • 3학년 ( 1학점 , 1시간) 수 7~7 (종)
      • 콜로키엄으로 운영되는 강의(필수)
  • 2018-2학기

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      • 학수번호 11305분반 01
      • 1학년 ( 3학점 , 3시간) 수 2~3 (종)
      • 전공탐색 교과목(호크마대 1학년 수강 권장), 1학년만 수강 가능. 2~4학년 수강불가, 팀티칭
    • 일반물리학실험II

      • 학수번호 20411분반 03
      • 1학년 ( 1학점 , 1.5시간) 월 3~3 (종D)
      • 영어강의,ABEEK 전자전기공학1,호크마대1
    • 실험물리학II

      • 학수번호 20513분반 01
      • 2학년 ( 2학점 , 3시간) 월 6~7 (종A416)
      • 영어강의
    • 반도체및나노물리학 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 35992분반 01
      • 4학년 ( 3학점 , 3시간) 월 2~2 (포365) , 목 3~3 (포365)
  • 2018-1학기

    • 호크마세미나 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 11302분반 21
      • 1학년 ( 1학점 월 7~7 (종A512)
      • 4차 산업 혁명 시대에 필요한 자연과학자
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      • 학수번호 11305분반 01
      • 1학년 ( 3학점 , 3시간) 화 2~3 (포363)
      • 호크마대 1학년 수강권장
    • 일반물리학I 강의 계획서 상세보기

      • 학수번호 20409분반 09
      • 1학년 ( 3학점 , 3시간) 월 6~6 (종A) , 수 5~5 (101)
      • ABEEK 기후·에너지시스템공학1, 건축도시시스템공학1, 엘텍공과대학,호크마대1 * 타전공생 및 자연대생 수강불가
    • 일반물리학실험I

      • 학수번호 20410분반 14
      • 1학년 ( 1학점 , 1.5시간) 월 3~3 (종)
      • 영어강의,ABEEK 기후·에너지시스템공학1, 건축도시시스템공학1,호크마대1 *타전공생 수강불가
    • 실험물리학I

      • 학수번호 20512분반 01
      • 2학년 ( 2학점 , 3시간) 수 6~7 (종A416)
      • 영어강의 #심화전공 필수
학력

서울대학교 이학박사(물리학부)